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广东省科学院半导体研究所2024上半年全球高层次人才引进系列活动
作者:新汕人才网 来源:汕尾人才网 日期:2024-03-21 浏览

广东省科学院半导体研究所参加东方英才网2024上半年全球高层次人才引进系列活动,欢迎海内外优秀高层次人才报名参会,与广东省科学院半导体研究所现场交流。

1. 参会场次

4月2日-广州站博士专场(地点:广州阳光酒店 ·1楼国际会议厅)

2. 报名通道:点击立即报名【内地场次】→【4月2日-广州站博士专场】

海(境)外场次报名通道即将开启,敬请留意。

本次招聘会不收取参会人才任何费用。

3. 活动咨询

博士请添加“小博老师”(微信号:gzgxrcw13,添加微信请备注“姓名+学历+专业+毕业院校+2024现场招聘会”,后续我们将邀请您加入活动交流群)

4. 入场方式

参会人才现场出示签到序列号,验收个人简历后领取入场凭证进场。

一、单位简介

广东省科学院半导体研究所(以下简称“半导体所”),为广东省科学院(为省政府直属事业单位)下属科研机构,公益二类独立法人事业单位。半导体所现为广东省半导体及集成电路领域唯一成建制的省属科研机构,是中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会挂靠单位(宽禁带半导体也被称为第三代半导体),广东省半导体光源产业协会会长单位、广东省集成电路行业协会副会长单位。

半导体所面向广东省半导体及集成电路行业发展需求,紧密结合国内外相关行业格局和发展趋势,沿着“国际视野、行业思维、平台支撑、产研结合”发展思路,建有贯穿半导体及集成电路全链条要素的研发支撑体系,目前在集成电路芯片设计、异构集成先进封装、第三代半导体三个方面形成一定特色优势。

半导体所拥有近5000平方米的研发基地,硬件条件达到国际先进水平,是国内第三代宽禁带半导体材料研究的重要基地,也是国内少数拥有完整半导体工艺链的研究平台之一,并且具备2-6英寸第三代半导体产业技术的中试能力。

半导体所以全球视野,国际化、高标准地汇聚了一支高水平人才队伍,包括1位院士、多位国家tepin专家及省部级以上人才称号获得者。以博士、博士后为主体的骨干队伍来自全球半导体及集成电路主要国家和地区,具有雄厚的研发实力。

二、专业方向以及研究领域

专业方向:材料学、材料物理与化学、凝聚态物理、微电子学、光电子学、集成电路、先进封装技术、半导体器件温度表征技术、光电子创新运用技术、核心装备及零部件开发技术等与半导体及集成电路相关专业。

此外,聚焦宽禁带半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,发展了以下研究方向:功率电子器件及检测、新型显示技术和紫外光电材料与器件等技术研发;高端半导体照明技术应用与开发;半导体工艺设备国产化关键部件开发;先进集成电路封装技术;半导体器件温度表征技术和可靠性技术;集成电路设计技术研究和产品开发、人工智能等。

三、高层次人才待遇

人才引进类型

薪酬

科研启动费

住房待遇

备注

百人计划

C类

50万元/年

150万元

80万元

1.常年受理

2.对符合入编条件的获聘人员纳入事业单位编制管理

D类

40万元/年

75万元

40万元

优秀博士、博士后

25-40万元/年

20万元

2500元/月

提供2-3年

特别引进人才

面议

100-500万元

免费提供住房

注:以上金额均为税前;另可根据业绩享受成果及绩效奖励,上不封顶。

四、高层次人才引进条件

(一)“百人计划”C类人才

具有海外知名高校、科研院所、企业拥有正式科研职位,或国内一流高校、科研院所具有副高级以上职称,或国内外知名企业技术负责人以上职务,或相当于省杰出青年基金获得者、省级人才计划(工程)项目入选者等方面的优秀人才。原则上年龄不超过35周岁,且近五年科研成果符合下列条件之一的:

1.在《Science》、《Nature》、《CELL》国际顶尖期刊上发表论文1篇及以上;

2.作为第一作者或通讯作者在中国科学院一区或者在本专业领域顶级期刊发表6篇及以上学术论文;

3.作为主要执笔人获得省级以上领导肯定性批示不少于3项,或发布省级规划等咨询报告3篇及以上;

4.近五年以第一作者或通讯作者所发表的学术论文有2篇及以上入选ESI高被引论文;

5.其他学术水平与上述条件相当的人才。

(二)“百人计划”D类人才

毕业于海内外知名高校、科研院所的优秀博士,或具有在海内外知名高校、科研院所学习经历并完成至少一期博士后科研工作的人员,或工程化领域紧缺人才,或在海内外知名企业担任部门主管及以上职务且连续工作3年以上的人员。原则上年龄不超过35周岁,且近五年科研成果符合下列条件之一的:

1.近五年内作为第一作者或通讯作者在中科院二区以上或在本专业领域顶级期刊发表论文不少于5篇(其中中科院一区论文不少于2篇);

2.作为主要发明人获得授权发明专利5件以上。

(三)优秀博士、博士后

毕业于海内外高校、科研院所的优秀博士(后),原则上年龄不超过35周岁。

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